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NVR1P02T1G  与  BSS215P H6327  区别

型号 NVR1P02T1G BSS215P H6327
唯样编号 A3-NVR1P02T1G A33-BSS215P H6327-0
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 105mΩ
上升时间 - 9.7ns
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 500mW(1/2W)
Qg-栅极电荷 - -3.6nC
栅极电压Vgs - 12V
正向跨导 - 最小值 - 4.5S
典型关闭延迟时间 - 14.5ns
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 SOT-23-3(TO-236) -
连续漏极电流Id - 1.5A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - BSS215
长度 - 2.9mm
下降时间 - 14ns
典型接通延迟时间 - 6.7ns
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 9,000 9,000
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
140+ :  ¥1.074
500+ :  ¥1.0541
1,000+ :  ¥1.0541
2,000+ :  ¥1.0442
4,000+ :  ¥1.0442
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NVR1P02T1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

暂无价格 9,000 当前型号
NTR1P02T1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

暂无价格 27,000 对比
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BSS215PH6327XTSA1_2.9mm

¥1.074 

阶梯数 价格
140: ¥1.074
500: ¥1.0541
1,000: ¥1.0541
2,000: ¥1.0442
4,000: ¥1.0442
9,000 对比
NTR1P02T1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

¥1.0516 

阶梯数 价格
50: ¥1.0516
200: ¥0.7249
1,500: ¥0.6589
3,000: ¥0.616
5,177 对比
NTR1P02T1 ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥3.1928 

阶梯数 价格
1: ¥3.1928
19 对比
BSS215P H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS215PH6327XTSA1_2.9mm

暂无价格 12 对比

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